技術(shù)文章
在GJB8848標(biāo)準(zhǔn)中,針對(duì)電磁脈沖試驗(yàn)方法,標(biāo)準(zhǔn)給出了三種試驗(yàn)方法,包括:威脅級(jí)輻照試驗(yàn)方法,PCI注入試驗(yàn)方法,以及CW輻照試驗(yàn)方法。一般主要采用威脅級(jí)輻照試驗(yàn)方法(即EMP有界波或者水平極化試驗(yàn)),當(dāng)系統(tǒng)外部天線或者電纜無(wú)法進(jìn)行威脅級(jí)輻照試驗(yàn)時(shí),則應(yīng)對(duì)外部天線或電纜進(jìn)行PCI注入試驗(yàn)。PCI注入試驗(yàn)容易產(chǎn)生更大的威脅級(jí)傳導(dǎo)電流。本電源設(shè)計(jì)目的為進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)電磁脈沖效應(yīng)外部電纜和天線等進(jìn)行大電流注入,滿足GJB8848所述的測(cè)試需求。

| 技術(shù)參數(shù) | |
| 3CEMP - PCI - 2 kA | |
| 短路電流 | 20 A - 2000 A連續(xù)可調(diào) |
| 輸出電壓 | 140 kV |
| 脈沖源內(nèi)阻 | ≥ 60 Ω |
| 脈沖電流前沿時(shí)間 | ≤ 20 ns |
| 脈沖電流半寬時(shí)間 | 500 ns - 550 ns |
| 3CEMP - PCI - 5 kA | |
| 短路電流 | 100 A - 5000 A連續(xù)可調(diào) |
| 輸出電壓 | 300 kV |
| 脈沖源內(nèi)阻 | ≥ 60 Ω |
| 脈沖電流前沿時(shí)間 | ≤ 20 ns |
| 脈沖電流半寬時(shí)間 | 500 ns - 550 ns |
| 工作電源 | AC 110 / 220 V,±10%, 50 - 60 Hz (內(nèi)地地區(qū)默認(rèn)AC220V) |
| 機(jī)箱尺寸 | 21英寸,35U |
| 儀器重量 | 約136 kg |
| 溫度范圍 | 15℃ - 35℃ |
| 相對(duì)濕度 | 45% - 75% (無(wú)凝露) |
干擾脈沖會(huì)引起存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)丟失,傳輸數(shù)據(jù)出錯(cuò),設(shè)備功能紊亂,誤觸發(fā),設(shè)備工作性能降低、重新啟動(dòng),以及暫時(shí)停止工作等問(wèn)題。能量太高時(shí),產(chǎn)生功能損壞,破壞主要是針對(duì)半導(dǎo)體器件與集成電路芯片,包括部件或回路間的高壓電擊穿、半導(dǎo)體 PN 結(jié)或器件燒毀、氧化層介質(zhì)擊穿、集成電路燒毀,造成毀滅性的物理?yè)p傷,以避免其它電子設(shè)備遭受電磁脈沖擾動(dòng)或損環(huán)。
(1)3CEMP - PCI - 2 kA
短路電流:20 A - 2000 A連續(xù)可調(diào)
輸出電壓:140 kV
脈沖源內(nèi)阻:≥ 60 Ω
脈沖電流前沿時(shí)間:≤ 20 ns
脈沖電流半寬時(shí)間:500 ns - 550 ns
(2)3CEMP - PCI - 5 kA:
短路電流:100 A - 5000 A連續(xù)可調(diào)
輸出電壓:300 kV
脈沖源內(nèi)阻:≥ 60 Ω
脈沖電流前沿時(shí)間:≤ 20 ns
脈沖電流半寬時(shí)間:500 ns - 550 ns
(3)AD-EMP/PCI/20/550-80kV/1kA
輸出電壓峰值:10kV - 80kV
輸出電流峰值:0.1kA - 1kA
源阻抗:≥60Ω
前沿時(shí)間:≤20ns
半寬值:500ns-550ns
重復(fù)頻率:2分鐘
絕緣方式:絕緣油